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碳化硅的超强性能2023-12-01 17:46

电力半导体的进步并不完全取决于节点尺寸的减小。硅电力开关，如MOSFETs和IGBTs，被设计用来处理12V到+3.3kV的电压和数百安培的电流。这些开关管理着大量的电力！然而，他们的能力有限，这正推动着新材料如碳化硅（SiC）的开发。在这种材料中，电子开始自由运动需要的能量是普通硅的三倍。这种更宽的带隙赋予了材料一些有趣的特性，如更快的开关速度和更高的功率

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中国TCL集团缩减其芯片设计的野心2023-12-01 17:45

电视面板制造商TCL科技集团有限公司已关闭了一家专门设计显示驱动芯片的子公司，退出了利润空间正在缩小的市场领域：位于广东省的总公司解散了Mooresilicon这个子公司，这是一家拥有不到100人的团队。这一举动对TCL科技的整体芯片发展策略影响甚微，公司仍在设计电源芯片。电源芯片是电子系统中控制电流流动的关键组件，它们被广泛应用于从手机到电动车的各种产品中

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LG电子将进军美国电动车充电市场2023-12-01 14:56

LG电子计划于2024年发布其首批交流和直流电动车充电站产品线，进军美国迅速扩张的电动车充电器市场。正如LG商业解决方案美国公司的高级副总裁Nicolas Min所述，该产品线将包括2级和3级电动车(EV)充电器。这一发展将为各市、商业机构和其他公共场所提供新的机会，通过自主运营的充电站助力美国的电气化进程。

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SiCMOSFET和IGBT在短路时的对比2023-12-01 14:54

基于沟道的硅碳功率金氧半场效应晶体管（MOSFETs）为电力转换开关设备的性能优化系数（FOM）带来了显著提升。这让系统性能得以凸显，提高了多种应用的效率和功率密度，并降低了整体系统的成本。

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三菱电机与Nexperia共同开启硅化碳功率半导体开发2023-11-30 16:14

三菱电机公司宣布将与Nexperia B.V.结成战略合作伙伴关系，共同为电力电子市场开发硅碳（SiC）功率半导体。三菱电机将利用其广带隙半导体技术开发和供应SiC MOSFET芯片，这些芯片将用于Nexperia开发SiC分立器件。

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SiC MOS 、IGBT和超结MOS对比2023-11-30 16:12

在经过多年的技术积累后，硅碳化物 (SiC) MOSFET因其强大的击穿场和较低的损耗特性，逐渐受到工程师们的热烈追捧。目前，它们主要用于以绝缘栅双极晶体管（IGBT）为主导的键合部件领域。然而，在当今功率设备的大格局中，SiC MOSFET到底扮演了何种角色？

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IGBT的广泛应用：让生活电器更高效2023-11-29 15:44

作为功率半导体器件的重要成员，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）以其卓越的开关能力和放大特性，在众多家用电器设备中发挥着至关重要的角色，有效提升能效和性能。例如，在变频空调、功率放大器以及电动汽车等设备中，通过采用IGBT进行精准的电流和电压控制，实现了电能的高效转换，节能并提升设备续航和充电速度，最终为我们的生活带来了许多便利和舒适。

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