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      弘模半导体

      文章：51 被阅读：22.5w 粉丝数：10 关注数：0 点赞数：1

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      关于MOS-AK Peking 器件模型国际会议的分析和介绍

      如果您是设计公司，通过参加这个活动，就能了解到为什么自己的产品和其他公司没有在一个起跑线上。如果您是....
      的头像 弘模半导体 发表于 09-08 10:59 •2300次阅读
      关于MOS-AK Peking 器件模型国际会议的分析和介绍

      关于MOS-AK Peking器件模型国际会议分析和介绍

      所有投稿由技术专家委员会审核，5月28日是Abstract 提交截止日，内容不需要多，1-2页即可，....
      的头像 弘模半导体 发表于 09-08 10:54 •1745次阅读
      关于MOS-AK Peking器件模型国际会议分析和介绍

      关于中兴通讯被制裁事件的分析介绍

      模型从业者的商业模式决定了规模不可能大，而且是以研发为主，所以没有国家支持是很难生存下去的。美国的C....
      的头像 弘模半导体 发表于 09-08 10:49 •10746次阅读

      关于欧盟项目TARANTO的分析和介绍

      半导体产业链很长，每个产品牵涉很多知识，所以XMOD也一直通过在参与欧盟项目的同时，把那些愿意把技术....
      的头像 弘模半导体 发表于 09-08 10:43 •3364次阅读

      关于AI背景下的on-chip ESD (静电保护）需求分析和应用

      ofics 的on-chip ESD 覆盖目前主流工艺，应用也非常广泛，除了上面的人工智能，硅光电，....
      的头像 弘模半导体 发表于 09-08 10:34 •2517次阅读

      关于先进节点和特殊应用下的On-chip ESD 研讨会的分析和介绍

      在和英国IP 供应商Moortec，和Icsense三方的合作中，Sofics 成功得在28nm, ....
      的头像 弘模半导体 发表于 09-08 10:29 •3966次阅读
      关于先进节点和特殊应用下的On-chip ESD 研讨会的分析和介绍

      回顾关于MOS-AK北京器件模型会议邀请报告分析和发展介绍

      半导体所的文章，首先回顾第一性原理（密度泛函理论）来计算纳米电子，通过对二维（2D）材料为基础的亚1....
      的头像 弘模半导体 发表于 09-08 10:23 •2461次阅读
      回顾关于MOS-AK北京器件模型会议邀请报告分析和发展介绍

      关于MOS-AK北京器件模型邀请报告提要和分析

      对于III-V族器件， 模型的问题一直困扰者很多电路设计者，由于模型准确度的局限性，很多时候，需要靠....
      的头像 弘模半导体 发表于 09-08 10:17 •2003次阅读
      关于MOS-AK北京器件模型邀请报告提要和分析

      回顾关于MOS-AK 北京器件模型会议可靠性报告的发展

      FinFET和FDSOI是先进的工艺技术节点采用的新的器件创新来继续保持摩尔定律。在这些器件结构中，....
      的头像 弘模半导体 发表于 09-08 10:07 •3576次阅读
      回顾关于MOS-AK 北京器件模型会议可靠性报告的发展

      回顾MOS-AK 北京器件模型国际会议的主要内容和主题

      当然，MOS-AK会议前期的培训部分也非常精彩，6月14日，Dr. Franz Sischka 的R....
      的头像 弘模半导体 发表于 09-08 09:59 •3691次阅读

      关于用于功率和射频的氮化镓(GaN)的分析介绍和应用

      对于电容参数的描述，ASM GaN 是应用场效应板来解决的。当然，模型开发出来后，需要和真正的器件进....
      的头像 弘模半导体 发表于 09-08 09:44 •6559次阅读
      关于用于功率和射频的氮化镓(GaN)的分析介绍和应用

      关于Fraunhofer IAF W-band LNA 芯片的性能分析和应用介绍

      总的来说，这款LNA的芯片在NF方面的表现是非常不错，对于其应用还是非常广泛的, 比如风力发电中玻璃....
      的头像 弘模半导体 发表于 09-08 09:36 •5007次阅读
      关于Fraunhofer IAF W-band LNA 芯片的性能分析和应用介绍

      关于GaN微波器件大信号模型及其应用和发展分析

      然而上述两种模型为了达到大信号特性高精度，仍旧需要引入较多的拟合参数，加大了模型参数提取的难度和模型....
      的头像 弘模半导体 发表于 09-08 09:28 •6836次阅读
      关于GaN微波器件大信号模型及其应用和发展分析

      关于300GHz雷达芯片套装的性能分析和介绍

      此芯片基于SiGe HBT BiCMOS工艺，包括了MIXER，VCO，Frequency doub....
      的头像 弘模半导体 发表于 09-08 09:20 •4575次阅读
      关于300GHz雷达芯片套装的性能分析和介绍

      对于24GHz雷达传感器的性能分析和介绍

      团队目前已经开发出不同频率，宽带的传感器，从基带10Ghz, 24GHz, 122GHz, 到200....
      的头像 弘模半导体 发表于 09-08 09:08 •7439次阅读
      对于24GHz雷达传感器的性能分析和介绍

      关于SiGe HBT 技术和应用的未来分析和介绍

      在雷达应用这块， 除了早已上市的77-78，79-81GHz雷达，主用于ADAS。同时94GHz雷达....
      的头像 弘模半导体 发表于 09-06 17:38 •17949次阅读
      关于SiGe HBT 技术和应用的未来分析和介绍

      关于锗硅工艺的建模，设计和应用分析和介绍

      下午，主要由来自Silicon Radar的设计主管Dr. Wojciech Debski 带来基于....
      的头像 弘模半导体 发表于 09-06 17:26 •4612次阅读

      关于Graphcore 采用Sofics 16nm FinFET ESD 解决方案的介绍和分析

      无论是0.18um CMOS还是12nm FinFet并不重要，设计公司将始终受益于更短的开发时间，....
      的头像 弘模半导体 发表于 09-06 17:17 •2114次阅读
      关于Graphcore 采用Sofics 16nm FinFET ESD 解决方案的介绍和分析

      关于SiGe HBT工艺120GHz超宽带芯片SPEC的性能分析和应用

      122 GHz收发雷达前端（RFE）主要应用领域是在短程/高分辨雷达系统，范围高达约7米。通过使用附....
      的头像 弘模半导体 发表于 09-06 17:09 •5451次阅读
      关于SiGe HBT工艺120GHz超宽带芯片SPEC的性能分析和应用

      关于欧盟项目Kamerad的分析和介绍

      作为欧盟项目自动驾驶相关项目的活跃合作伙伴Silicon Radar, 将在6月20日的MOS-AK....
      的头像 弘模半导体 发表于 09-06 17:04 •2123次阅读

      回顾MOS-AK成都器件模型国际会议的内容介绍

      成都电子科技大学团队的硅基磁光非互易光子器件向大家展示了团队在这方面所做的努力和成绩。在先进节点方面....
      的头像 弘模半导体 发表于 09-06 16:51 •4057次阅读
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