产品
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C3M0350120D碳化硅MOSFET2022-05-25 21:44
产品型号：C3M0350120D 漏源电压：1200V 栅极-源极电压动态：-8/+19V 栅极-源极电压静态：-4/+15V 脉冲漏极电流：：20A 功耗：：50W -
C3M0350120J碳化硅MOSFET2022-05-25 21:36
产品型号：C3M0350120J 漏源电压:：1200V 栅极-源极电压动态：-8/+19V 栅极-源极电压静态：-4/+15V 脉冲漏极电流：20A 功耗：：40.8W -
C2M0280120D碳化硅MOSFET2022-05-25 21:23
产品型号：C2M0280120D 漏源电压:：1200V 栅极 - 源极电压：-10/+25 栅极 - 源极电压：-5/+20 脉冲漏极电流：：20A 功耗：69.4W -
C2M0160120D碳化硅MOSFET2022-05-25 21:16
产品型号：C2M0160120D 漏源电压：1200 栅极 - 源极电压：-10/+25 栅极 - 源极电压：-5/+20 脉冲漏极电流：40A 功耗：125W -
C3M0160120D碳化硅MOSFET2022-05-25 21:08
产品型号：C3M0160120D 漏源电压：1200V 栅极-源极电压动态：-8/+19V 栅极-源极电压动态:：-4/+15V 脉冲漏极电流：250A 功耗：556W -
CGH27030S-AMP1氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-05-25 10:57
产品型号：CGH27030S-AMP1 操作频率：VHF – 3.0 GHz 操作 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 小信号增益：> 15 dB 小信号增益 排水效率：> 28% 排水效率 -
CGH27030S氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-25 10:56
产品型号：CGH27030S 操作频率：VHF – 3.0 GHz 操作 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 小信号增益：> 15 dB 小信号增益 排水效率：> 28% 排水效率 -
CGH27030P高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-25 10:54
产品型号：CGH27030P 操作频率：VHF – 3.0 GHz 操作 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 小信号增益：> 15 dB 小信号增益 排水效率：> 28% 排水效率 -
CGH25120F高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-25 10:45
产品型号：CGH25120F 频率：2.3 – 2.7 GHz 操作 增益：13分贝增益 PAVE功率：20 W PAVE 时 -32 dBc ACLR PAVE效率：20 W PAVE 时效率为 30 % 应用特性：可应用高度 DPD 校正 -
CGH21240F-AMP高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-05-25 10:32
产品型号：CGH21240F-AMP 频率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分贝增益 PAVE功率：40 W PAVE 时 -35 dBc ACLR PAVE效率：40 W PAVE 时效率为 33% 应用特性：可应用高度 DPD 校正