产品
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C3D03060E分立碳化硅肖特基二极管2022-05-28 12:00
产品型号：C3D03060E 重复峰值反向电压：600V 浪涌峰值反向电压：600V 直流阻断电压：600V 功耗：39.5;17W 二极管dV/dt耐用：200V/ns -
C3D02060A分立碳化硅肖特基二极管2022-05-28 10:07
产品型号：C3D02060A 重复峰值反向电压：600V 浪涌峰值反向电压：600V 直流阻断电压：600V 功耗：39.5;17W 二极管dV/dt耐用：200V/ns -
C3D02060F分立碳化硅肖特基二极管2022-05-28 09:59
产品型号：C3D02060F 重复峰值反向电压：600V 直流阻断电压：600V 功耗：22.7;9.8W 二极管dV/dt耐用：200V/ns 工作结温和存储温度：-55to+175˚C -
C3D02060E分立碳化硅肖特基二极管2022-05-28 09:39
产品型号：C3D02060E 漏源电压：600V 浪涌峰值反向电压：600V 直流阻断电压：600V 二极管dV/dt耐用：200V/ns 功耗：39.5W -
CSD01060A分立碳化硅肖特基二极管2022-05-28 09:31
产品型号：CSD01060A 漏源电压：600V 浪涌峰值反向电压：600V 直流阻断电压：600V 非重复峰值正向浪涌电：9A 功耗：21.4W -
CSD01060E分立碳化硅肖特基二极管2022-05-27 20:10
产品型号：CSD01060E 重复峰值反向电压：600V 浪涌峰值反向电压：600V 直流阻断电压：600V 非重复峰值正向浪涌电：9A 非重复峰值正向浪涌电：32W -
C2M1000170J碳化硅MOSFET2022-05-27 19:44
产品型号：C2M1000170J 漏源电压：1700V 栅极 - 源极电压：-10/+25 栅极 - 源极电压：-5/+20 脉冲漏极电流：15A 功耗：69W -
C2M0045170D碳化硅MOSFET2022-05-27 19:37
产品型号：C2M0045170D 漏源电压：1700V 栅极 - 源极电压：-10/+25V 栅极 - 源极电压：-5/+20 脉冲漏极电流：160A 功耗：520W -
C2M0045170P碳化硅MOSFET2022-05-27 18:44
产品型号：C2M0045170P 漏源电压：1700V 栅极-源极电压动态：-10/+25V 栅极-源极电压静态：-5/+20V 脉冲漏极电流：160A 功耗：520W -
C2M1000170D碳化硅MOSFET2022-05-27 18:39
产品型号：C2M1000170D 漏源电压：1700V 栅极 - 源极电压：-10/+25 栅极 - 源极电压：-5/+20 脉冲漏极电流：15A 功耗：69W