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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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微碧半导体VBsemi产品

  • AO4407A-VB-SOP8封装P沟道MOSFET2023-10-30 15:56

    产品型号:AO4407A-VB 类型: P沟道 最大耐压: 30V 最大电流: 7A 门源电压: 20Vgs (±V) 门阈电压: 1.37Vth
  • IRF7240TRPBF-VB-SOP8封装P沟道MOSFET2023-10-30 15:43

    产品型号:IRF7240TRPBF-VB 类型: P沟道 最大耐压: 40V 最大漏极电流: 11A RDS(ON)): 13mΩ@10V, 17mΩ@4.5V 栅极电压(Vgs)范: ±20V
  • CEM4435-VB-SOP8封装P沟道MOSFET2023-10-30 15:33

    产品型号:CEM4435-VB 频道类型:P沟道 额定电压: 30V 额定电流: 7A 门源电压范围: ±20V 门源阈值电压 :1.37V
  • NTS2101PT1G-VB-SC70-3封装P沟道MOSFET2023-10-30 15:25

    产品型号:NTS2101PT1G-VB 极性: P沟道 额定电压: 20V 额定电流: 3A 导通电阻 :98mΩ @ 4.5V, 117.6mΩ @ 2.5V 门源电压: 12Vgs (±V)
  • 2SJ668-VB-TO252封装P沟道MOSFET2023-10-30 15:13

    产品型号:2SJ668-VB 类型: P沟道 最大耐压: 60V 最大电流:38A 导通电阻: 61mΩ @10V, 72mΩ @4.5V 门源电压: 20Vgs (±V)
  • 2SK4033-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-10-30 15:04

    产品型号:2SK4033-VB 类型 :N沟道 最大耐压: 60V 最大漏极电流: 18A 导通时的电阻(RDS: 73mΩ@10V, 85mΩ4.5V 栅极电压(Vgs):范围 ±20V
  • AP2301GN-VB-SOT23封装P沟道MOSFET2023-10-30 14:55

    产品型号:AP2301GN-VB 频道类型: P沟道 额定电压: 20V 额定电流 :4A RDS(ON): 57mΩ @ 4.5V,83mΩ @ 2.5 门源电压范围: ±12V
  • AO4407-VB-SOP8封装P沟道MOSFET2023-10-30 14:46

    产品型号:AO4407-VB 极性: P沟道 额定电压: 30V 额定电流: 7A 门源电压 :20Vgs(±V) 阈值电压: 1.37Vth (V)
  • NTGS3455T1G-VB-SOT23-6封装P沟道MOSFET2023-10-30 14:34

    产品型号:NTGS3455T1G-VB 类型: P沟道 最大耐压 :30V 最大电流 :4.8A 导通电阻: 49mΩ @10V, 54mΩ @4.5V 门源电压: 20Vgs (±V)
  • DMG6968U-7-VB-SOT23封装N沟道MOSFET2023-10-30 14:25

    产品型号:DMG6968U-7-VB 类型: N沟道 最大耐压 :30V 最大漏极电流: 6.5A 导通时的电阻:(RDS(ON)) 30mΩ@10V, 33mΩ 栅极电压(Vgs): ±20V