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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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微碧半导体VBsemi产品

  • FQU13N10L-VB-TO251封装N沟道MOSFET2023-10-30 14:13

    产品型号:FQU13N10L-VB 频道类型: N沟道 额定电压 :100V 额定电流 :15A RDS(ON): 115mΩ @ 10V,120mΩ @ 4. 门源电压范围: ±20V
  • STD35NF06T4-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-10-30 14:03

    产品型号:STD35NF06T4-VB 极性: N沟道 额定电压: 60V 额定电流 :45A 导通电阻 :24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V 门源电压: 20Vgs (±V)
  • HM8810A-VB-SOT23-6封装2个沟道MOSFET2023-10-30 13:51

    产品型号:HM8810A-VB 类型: 2个N沟道 最大耐压 :20V 最大电流: 6A 导通电阻 :24mΩ @4.5V, 28mΩ @2.5V 门源电压: 20Vgs (±V)
  • KD2301-VB-SOT23封装沟道MOSFET2023-10-30 13:42

    产品型号:KD2301-VB 类型: P沟道 最大耐压 :20V 最大漏极电流: 4A 导通时的电阻:(RDS(ON)) 57mΩ@4.5V, 83m 栅极电压(Vgs)范: ±12V
  • HM3401PR-VB-SOT89-3封装P沟道MOSFET2023-10-30 11:55

    产品型号:HM3401PR-VB 频道类型 :P沟道 额定电压: 30V 额定电流 :5.8A RDS(ON) :50mΩ @ 10V, 56mΩ @ 4.5 门源电压范围: ±20V
  • FDC6306P-VB-SOT23-6封装2个P沟道MOSFET2023-10-30 11:44

    产品型号:FDC6306P-VB 极性: 2个P沟道 额定电压 :20V 额定电流 :4A 导通电阻 :75mΩ @ 4.5V, 100mΩ @ 2.5V 门源电压: 12Vgs (±V)
  • APM3048ADU4-VB-TO252-5封装N+P沟道MOSFET2023-10-30 11:32

    产品型号:APM3048ADU4-VB 类型: N+P沟道 最大耐压: ±60V 最大电流 :35A/18A 导通电阻 :38mΩ/58mΩ @10V, 45mΩ/70mΩ 门源电压: 20Vgs (±V)
  • IRF7470TRPBF-VB-SOP8封装N沟道MOSFET2023-10-30 11:24

    产品型号:IRF7470TRPBF-VB 类型: N沟道 最大耐压: 40V 最大漏极电流: 10A RDS(ON)): 14mΩ@10V, 16mΩ@4.5V 封装: SOP8
  • AP2303GN-VB-SOT23封装P沟道MOSFET2023-10-30 11:14

    产品型号:AP2303GN-VB 频道类型: P沟道 额定电压: 30V 额定电流 :5.6A RDS(ON): 47mΩ @ 10V,56mΩ @ 4.5V 门源电压范围: ±20V
  • IRFR4620TRPBF-VB-TO252封装N沟道MOSFET2023-10-30 11:06

    产品型号:IRFR4620TRPBF-VB 极性: N沟道 额定电压: 200V 额定电流 :25A 导通电阻: 54mΩ @ 10V, 112mΩ @ 4.5V 门源电压: 20Vgs (±V)