型号 FQU13N10L丝印 VBFB1101M品牌 VBsemi参数 频道类型 N沟道 额定电压 100V 额定电流 15A RDS(ON) 115mΩ @ 10V，120mΩ @ 4.5V 门源电压范围 ±20V 门源阈值电压 1.41V 封装类型 TO251应用简介 FQU13N10L（丝印 VBFB1101M）是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介 详细参数说明 FQU13N10L是一款N沟道功率MOSFET，具有高电压和电流承载能力。主要参数包括额定电压为100V，额定电流为15A，RDS(ON)为115mΩ @ 10V，120mΩ @ 4.5V，门源电压范围为±20V，门源阈值电压为1.41V，封装类型为TO251。应用领域 FQU13N10L（VBFB1101M）适用于多种领域和应用场景，主要用于需要高电压和高电流承载能力的电路。以下是一些典型的应用领域 1. 电源管理模块 FQU13N10L可应用于电源管理模块中，提供高效的电能转换和稳定的电流输出，从而提高系统的功耗和效率。2. 电动工具和家用电器 它可以应用于电动工具和家用电器中的电机驱动电路，提供高效、可靠的电力输出。3. 电池管理系统 FQU13N10L适用于电池管理系统中的充放电控制电路，提供高效、可靠的电池管理。4. 汽车电子系统 FQU13N10L可应用于汽车电子系统中的电源管理、电机驱动和照明控制等方面，满足汽车电子系统对高压和高功率的要求。综上所述，FQU13N10L（VBFB1101M）是一款N沟道功率MOSFET，适用于电源管理模块、电动工具、家用电器、电池管理系统和汽车电子系统等领域模块。它具有高电压和电流承载能力，适用于需要高效能和可靠性的电路。
--- 产品参数 ---
- 频道类型 N沟道
- 额定电压 100V
- 额定电流 15A
- RDS(ON) 115mΩ @ 10V，120mΩ @ 4.
- 门源电压范围 ±20V
- 门源阈值电压 1.41V
- 封装类型 TO251
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
为你推荐
-
AP40T10GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:30
产品型号：AP40T10GH-VB 封装：TO252 沟道：Single-N -
AP40T10GH-HF-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:28
产品型号：AP40T10GH-HF-VB 封装：TO252 沟道：Single-N -
AP40T03H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:27
产品型号：AP40T03H-VB 封装：TO252 沟道：Single-N -
AP40T03GS-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:26
产品型号：AP40T03GS-VB 封装：TO263 沟道：Single-N -
AP40T03GS-HF-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:25
产品型号：AP40T03GS-HF-VB 封装：TO263 沟道：Single-N -
AP40T03GP-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:23
产品型号：AP40T03GP-VB 封装：TO220 沟道：Single-N -
AP40T03GP-HF-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:22
产品型号：AP40T03GP-HF-VB 封装：TO220 沟道：Single-N -
AP40P03GP-VB一款Single-P沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:20
产品型号：AP40P03GP-VB 封装：TO220 沟道：Single-P -
AP40P03GJ-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:18
产品型号：AP40P03GJ-VB 封装：TO251 沟道：Single-N -
AP40P03GI-VB一款Single-P沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:17
产品型号：AP40P03GI-VB 封装：TO220F 沟道：Single-P