--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8封装
- 沟道 2个P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**SP8J1TB-VB**
- **丝印:** VBA4338
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 2个P-Channel沟道
- 最大耐压:-30V
- 最大漏极电流:-7A
- 导通电阻:RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V,VGS=20V
- 门源极电压阈值:Vth=-1.5V
- **封装:** SOP8
**详细参数说明:**
SP8J1TB-VB是一款P-Channel沟道场效应晶体管,具有双通道设计,最大耐压为-30V,适用于要求较低导通电阻和高电流承受能力的应用。其导通电阻在10V和20V的门源极电压下分别为35mΩ,门源极电压阈值为-1.5V。采用SOP8封装,适用于表面贴装。
**应用简介:**
SP8J1TB-VB适用于多种应用场景,包括但不限于:
1. **电源管理模块:** 由于其双通道设计和较低的导通电阻,适用于功率管理模块中的电源开关和逆变器电路。
2. **电池保护模块:** 可用作电池保护模块中的电源开关器件,控制充放电和保护电池。
3. **电动车电池管理系统:** 在电动车领域,可用于电动车电池管理系统中的电源开关模块,实现电池的充放电控制和保护功能。
**举例说明:**
SP8J1TB-VB可应用于电动车电池管理系统中,控制电池的充放电和保护功能,确保电池的安全和稳定性。同时,也可用于电源管理模块中,控制电源的开关和电流输出,适用于各种功率管理应用。
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