--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 2SK2862_06-VB MOSFET 产品简介
2SK2862_06-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),封装形式为 TO220F。该型号 MOSFET 具有较高的漏源电压和适中的导通电阻,适用于一些低功率电源管理和开关应用。
### 2SK2862_06-VB 详细参数说明
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**:650V
- **栅源电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:2560mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:4A
- **技术类型**:平面技术
### 适用领域和模块的应用举例
2SK2862_06-VB MOSFET 由于其中等的漏源电压和导通电阻特性,适用于一些低功率应用。以下是一些具体应用领域和模块示例:
1. **小功率电源管理系统**:在低功率电源管理系统中,该 MOSFET 可用于开关模式电源(SMPS)和逆变器,提供稳定、高效的电能转换。
2. **LED 驱动器**:在需要低功率 LED 照明驱动器中,2SK2862_06-VB 可作为开关器件,提供高效的电能转换和稳定的电源输出。
3. **医疗设备**:在需要小功率电源管理的医疗设备中,该 MOSFET 可确保设备的安全、稳定运行。
4. **自动控制系统**:在低功率自动控制系统中,用于控制各种执行器和传感器,提供稳定的电源和控制信号。
5. **家用电器**:在一些低功率家用电器中,如电风扇、电热水壶等,2SK2862_06-VB 可用作功率开关器件,确保设备的高效运行。
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