### 产品简介
**型号**: 2SK2875-01-VB
**封装**: TO220
**配置**: 单N沟道
**技术**: 平面（Plannar）
2SK2875-01-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，具有600V的漏-源电压承受能力。采用平面技术设计，适用于各种高压应用场合。
### 详细参数说明
- **VDS**（漏-源电压）: 600V
- **VGS**（栅-源电压）: ±30V
- **Vth**（栅极阈值电压）: 3.5V
- **RDS(ON)**（导通电阻）:
- 1070mΩ @ VGS=4.5V
- 780mΩ @ VGS=10V
- **ID**（漏极电流）: 8A
### 应用领域和模块举例
**电源逆变器**: 2SK2875-01-VB适用于电源逆变器中的开关模块，可用于工业电源和UPS系统。其高漏-源电压承受能力和适中的漏极电流使其成为逆变器设计的理想选择。
**电动车充电器**: 在电动汽车充电器中，该MOSFET可用于高压直流-直流变换器。其高漏-源电压和低导通电阻能够提高充电器的效率和性能。
**照明应用**: 2SK2875-01-VB可用于LED照明驱动器和高压开关模块。其高耐压特性使其能够在高压环境下稳定工作，为照明系统提供可靠性保障。
**电力电子**: 在电力电子领域，该MOSFET可用于高压开关电源和电力转换器。其高性能和耐压能力使其成为电力电子系统设计中的关键组件。
2SK2875-01-VB以其高耐压能力和稳定性，适用于各种高压应用场合，为电子系统设计提供了可靠的解决方案。
