### 产品简介
2SK2869L-VB 是一款采用 TO251 封装的单 N 沟道 MOSFET。该器件具有 60V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS)，适用于中功率开关和控制应用。其采用了 Trench 技术，具有较低的导通电阻 (RDS(ON)) 和适中的电流处理能力。
### 详细参数说明
- **型号**：2SK2869L-VB
- **封装**：TO251
- **配置**：单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**：60V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 37mΩ @ VGS = 4.5V
- 32mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**：35A
- **技术**：Trench
### 应用领域和模块示例
2SK2869L-VB MOSFET 可以应用于多个领域和模块，以下是一些具体的示例：
1. **电源管理模块**：在中功率电源管理模块中，如电源适配器和LED驱动器，该器件可以用作开关器件。其低导通电阻和适中的电流处理能力使其能够提供高效的能量转换。
2. **电机驱动器**：在中功率电机控制应用中，2SK2869L-VB 可以用作电机驱动器的开关元件。其高电流处理能力和低导通电阻可以提供高效的电机控制和稳定的性能。
3. **电池管理系统**：在电池管理系统中，该 MOSFET 可以用于充放电控制和保护。其低漏电流和高电流处理能力可以延长电池寿命并提高系统效率。
4. **LED照明**：在LED照明系统中，2SK2869L-VB 可以用作LED驱动器的开关器件。其低导通电阻和高电流处理能力可以提供稳定的电流输出和高效的能量转换。
5. **汽车电子**：在汽车电子系统中，该器件可以用于各种控制和驱动应用，如电机控制、照明控制和电源管理。其高可靠性和稳定性使其适用于汽车环境中的应用。
2SK2869L-VB 具有适中的功率特性和高电流处理能力，适用于中功率应用，是电子系统中的一种高性能解决方案。
