--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封
- 沟道 P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
VBsemi SSM3J02T-VB 产品参数说明:
- 型号:SSM3J02T-VB
- 丝印:VB2355
- 品牌:VBsemi
- 封装:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 额定沟道电压:-30V
- 额定电流:-5.6A
- 静态导通电阻(RDS(ON)):47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):-1V
应用简介:
SSM3J02T-VB是一款P—Channel MOSFET,适用于多种电子应用领域。其性能参数使其成为以下领域的理想选择:
1. **电源管理模块:** 由于其低导通电阻和适中的额定电流,SSM3J02T-VB可用于电源开关和调节模块,提供高效的电源管理。
2. **电池保护回路:** 在电池供电系统中,该器件可用于设计电池保护回路,确保电池在正常工作范围内运行。
3. **信号开关:** 适用于各种信号开关电路,实现对信号的精确控制。
4. **电流控制模块:** 由于其低阻态导通特性,可用于设计电流控制模块,保障电路正常工作。
总体而言,SSM3J02T-VB是一款性能卓越的P—Channel MOSFET,适用于多个电子领域的模块设计。
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