--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**产品型号:** SSM3J15F-VB
**丝印:** VB264K
**品牌:** VBsemi
**参数:**
- 封装:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 最大漏电压(VDS):-60V
- 最大漏电流(ID):-0.5A
- 开通电阻(RDS(ON)):3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):-1.87V
**应用简介:**
SSM3J15F-VB是一款P—Channel沟道的场效应晶体管,采用SOT23封装。其主要特点包括最大漏电压为-60V,最大漏电流为-0.5A,具有低开通电阻(RDS(ON))等性能。该产品适用于需要负载开关的电路和模块。
**适用领域和示例应用:**
1. **电源管理模块:** 由于SSM3J15F-VB具有较低的开通电阻和P—Channel沟道的特性,可在电源管理模块中用作电源开关,提高整体电路的效率。
2. **电池保护回路:** 在需要对电池进行过放电保护的应用中,SSM3J15F-VB可以作为电池保护回路中的关键组件,确保电池的安全使用。
3. **低功耗电子设备:** 由于其低阈值电压和低漏电流的特性,适用于一些对功耗要求较为严格的低功耗电子设备,如便携式设备、传感器模块等。
总体而言,SSM3J15F-VB适用于需要P—Channel沟道场效应晶体管的电路和模块,特别是在一些对功耗、效率和电源管理要求较高的领域中发挥着重要作用。
为你推荐
-
2SK2882-VB一种N-Channel沟道TO220F封装MOS管2024-07-20 15:51
产品型号:2SK2882-VB 封装:TO220F封装 沟道:N-Channel -
2SK2876-01MR-VB一种N-Channel沟道TO220F封装MOS管2024-07-20 15:50
产品型号:2SK2876-01MR-VB 封装:TO220F封装 沟道:N-Channel -
2SK2875-01-VB一种N-Channel沟道TO220封装MOS管2024-07-20 15:49
产品型号:2SK2875-01-VB 封装:TO220封装 沟道:N-Channel -
2SK2872-01MR-VB一种N-Channel沟道TO220F封装MOS管2024-07-20 15:48
产品型号:2SK2872-01MR-VB 封装:TO220F封装 沟道:N-Channel -
2SK2871-01-VB一种N-Channel沟道TO220封装MOS管2024-07-20 15:47
产品型号:2SK2871-01-VB 封装:TO220封装 沟道:N-Channel -
2SK2869L-VB一种N-Channel沟道TO251封装MOS管2024-07-20 15:46
产品型号:2SK2869L-VB 封装:TO251封装 沟道:N-Channel -
2SK2867-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管2024-07-20 15:44
产品型号:2SK2867-VB 封装:SOT23-3封装 沟道:N-Channel -
2SK2866-VB一种N-Channel沟道TO220封装MOS管2024-07-20 15:43
产品型号:2SK2866-VB 封装:TO220封装 沟道:N-Channel -
2SK2862_06-VB一种N-Channel沟道TO220F封装MOS管2024-07-20 15:42
产品型号:2SK2862_06-VB 封装:TO220F封装 沟道:N-Channel -
2SK2858-VB一种N-Channel沟道SC70-3封装MOS管2024-07-20 15:41
产品型号:2SK2858-VB 封装:SC70-3封装 沟道:N-Channel