--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
SSM3J304T-VB 参数说明:
- 丝印:VB2290
- 品牌:VBsemi
- 封装:SOT23
- 沟道类型:P-Channel
- 额定电压:-20V
- 额定电流:-4A
- 开态电阻(RDS(ON)):57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 阈值电压(Vth):-0.81V
SSM3J304T-VB 应用简介:
SSM3J304T-VB是一款P-Channel沟道的场效应晶体管(FET),具有-20V的额定电压和-4A的额定电流。其采用SOT23封装,具有相对较低的开态电阻,适用于多种电源管理和开关控制应用。
适用领域和模块举例:
1. **电源管理模块:** 由于SSM3J304T-VB是P-Channel MOSFET,可用于电源管理模块,特别是在需要负载开关的应用中,如电池充放电管理。
2. **DC-DC转换器:** 适用于P-Channel MOSFET的SSM3J304T-VB可用于DC-DC转换器的输出端,用于实现高效的电源变换。
3. **电池保护模块:** 在负载开关和电池保护电路中,SSM3J304T-VB可用于实现低阻态的负载开关,确保电池在不同工作条件下的安全运行。
总体而言,SSM3J304T-VB在需要高性能P-Channel MOSFET的电子模块中,如电源管理、负载开关、DC-DC转换器等方面具有广泛的应用潜力。
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