--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
**SSM3J314T-VB 详细参数说明和应用简介:**
**参数说明:**
- **品牌:** VBsemi
- **型号:** SSM3J314T-VB
- **丝印:** VB2355
- **封装:** SOT23
- **沟道类型:** P—Channel
- **沟道电压(VDS):** -30V
- **连续漏极电流(ID):** -5.6A
- **导通电阻(RDS(ON)):** 47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **门源极电压(Vth):** -1V
**应用简介:**
SSM3J314T-VB是一款P—Channel沟道MOSFET,广泛用于低功耗、高效率的电源管理和开关电源应用。其出色的性能使其在各种电子设备中得到广泛应用。
**主要特点:**
1. **低导通电阻:** 具有低导通电阻,有助于提高开关效率。
2. **宽工作电压范围:** 可在较宽的电压范围内稳定工作。
3. **高漏极电流:** 支持较高的连续漏极电流,适用于大功率应用。
4. **优异的温度稳定性:** 在不同温度条件下,性能稳定可靠。
**应用领域:**
1. **电源管理模块:** 适用于低压、高效的电源管理系统。
2. **开关电源:** 用于控制电流和电压的开关电源系统。
3. **电池管理系统:** 用于电池充放电控制和保护。
**适用模块:**
1. **直流-直流(DC-DC)转换器:** 用于提高能源转换效率。
2. **电池充放电模块:** 控制电池的充电和放电过程。
3. **开关电源模块:** 用于电源管理和调节。
SSM3J314T-VB可在这些领域和模块中发挥关键作用,提供稳定可靠的电源管理和开关控制功能。
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