--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23封装
- 沟道 N—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
WFY3N02-VB是VBsemi品牌的N-Channel沟道场效应晶体管,采用SOT23封装。以下是详细参数:
- 额定电压 (VDS): 20V
- 额定电流 (ID): 6A
- 漏极-源极电阻 (RDS(ON)): 24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V
- 阈值电压 (Vth): 0.45~1V
**应用简介:**
WFY3N02-VB适用于需要N-Channel MOSFET的电路和模块。其低漏极-源极电阻和高额定电流使其在多种应用中表现出色。
**领域和模块应用:**
1. **电源模块:** WFY3N02-VB可用于设计高效稳定的电源模块,支持20V的额定电压和6A的额定电流,确保可靠性和性能。
2. **电机驱动:** 适用于小型电机的驱动电路,提供高效率和可靠性。
3. **LED照明:** 在LED照明系统中,WFY3N02-VB可以作为电流调节和保护的关键组件,确保LED的稳定工作。
4. **电池管理系统:** 用于设计电池管理电路,支持电池充放电过程中的高电流操作。
总体而言,WFY3N02-VB的卓越特性使其成为各种电子应用中的理想选择,包括电源系统、电机控制、LED照明和电池管理。
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