--- 产品参数 ---
- 封装 SOT223封装
- 沟道 P—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介:
ZVP2106GTC-VB是VBsemi推出的P-Channel沟道MOSFET,具有-60V的耐压能力和-6.5A的电流承受能力。它采用SOT223封装,具有良好的导热性能和安装便利性。适用于各种电源管理和开关电路设计。
### 参数说明:
- **型号:** ZVP2106GTC-VB
- **丝印:** VBJ2658
- **品牌:** VBsemi
- **沟道类型:** P-Channel
- **耐压能力:** -60V
- **电流承受能力:** -6.5A
- **导通电阻:** 58mΩ@VGS=10V;VGS=20V
- **阈值电压:** -1~-3V
### 适用领域和模块示例:
1. **电源管理:** ZVP2106GTC-VB适用于低压电源管理模块,如手机充电器、便携式充电宝等,可提供高效率的电源开关控制。
2. **LED驱动:** 在LED照明领域,ZVP2106GTC-VB可用于LED驱动电路中,控制LED的开关,实现调光和节能功能。
3. **电池保护:** 作为P-Channel MOSFET,ZVP2106GTC-VB适用于电池保护电路,可在电池过充和过放时切断电池与负载的连接,保护电池。
4. **开关电路:** 在各种电路中,ZVP2106GTC-VB可用作开关,控制电路的通断,如电源开关、电机控制等。
以上是ZVP2106GTC-VB的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的示例。
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