--- 产品参数 ---
- 封装 TO263封装
- 沟道 N—Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介:
VBsemi的UT9435-AB82-R-VB是一款N沟道MOSFET,具有60V的漏极-源极电压承受能力,最大漏极电流为75A。该器件采用TO263封装,适用于高功率应用。
### 详细参数说明:
- 品牌:VBsemi
- 型号:UT9435-AB82-R-VB
- 丝印:VBL1615
- 沟道类型:N沟道
- 漏极-源极电压(VDS):60V
- 最大漏极电流(ID):75A
- 导通电阻(RDS(ON)):11mΩ @ VGS=10V; 20V
- 阈值电压(Vth):1.9V
- 封装:TO263
### 适用领域和模块举例:
1. **电源管理**:UT9435-AB82-R-VB适用于高效率的电源管理系统,如DC-DC转换器和功率适配器,可用于工业设备和消费电子产品。
2. **电机驱动**:在工业自动化和机器人领域,该MOSFET可用于驱动电机,实现高效的电能转换。
3. **照明应用**:可用于LED驱动电路,提供高效的功率控制和调光功能,适用于室内和室外照明。
4. **汽车电子**:适用于汽车电子系统中的电源管理和电机驱动模块,提高系统效率和可靠性,例如用于电动车的电池管理和驱动控制。
以上仅为一些示例,UT9435-AB82-R-VB在各种领域和模块中具有广泛的应用潜力。
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