--- 产品参数 ---
- 封装 TO262封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
VBsemi的086N10N-VB是一款TO262封装的单N沟道MOSFET。它具有100V的漏极-源极电压(VDS)、20V的栅极-源极电压(VGS,±V)、2.5V的阈值电压(Vth)、在VGS=4.5V时的10mΩ的导通电阻(RDS(ON))、在VGS=10V时的9mΩ的导通电阻(RDS(ON))、以及100A的漏极电流(ID)。该产品采用槽道(Trench)技术。
**产品简介:**
VBsemi的086N10N-VB是一款高性能TO262封装的单N沟道MOSFET,适用于需要高功率密度和低导通电阻的应用场合。它具有优异的导通特性和稳定性,可在各种高电流应用中提供可靠的性能。
**详细参数说明:**
- 封装:TO262
- 极性:单N沟道
- 漏极-源极电压(VDS):100V
- 栅极-源极电压(VGS):20V(±V)
- 阈值电压(Vth):2.5V
- 导通电阻(RDS(ON)):10mΩ @ VGS=4.5V,9mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流(ID):100A
- 技术:槽道(Trench)
**应用领域和模块示例:**
1. 电源管理模块:086N10N-VB可用于电源管理模块中,作为高功率开关元件,提供高效的能源转换。
2. 电动汽车控制器:在电动汽车控制器中,086N10N-VB可用于电动机控制,提供高功率密度和可靠性。
3. 电源适配器:适用于电源适配器的086N10N-VB具有低导通电阻和高电流能力,可提供稳定的电源输出。
4. 风力发电系统:086N10N-VB可用于风力发电系统中,作为风力涡轮机控制的关键元件,提供高效的能源转换。
5. 工业自动化控制系统:在工业自动化控制系统中,086N10N-VB可用于电源开关和电机控制,提供可靠的能源管理和控制功能。
这些示例说明了086N10N-VB在多个领域和模块中的广泛应用,展示了其在不同应用环境下的高性能和稳定性。
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