### 086P3N-VB 产品简介
086P3N-VB 是一款 DFN8(3X3) 封装的单路 P 沟道 MOSFET，具有 -30V 的漏极-源极电压（VDS）和 ±20V 的门源极电压（VGS）。采用沟槽工艺制造，具有低漏阻和高电流特性，适用于各种领域和模块的高性能应用。
### 086P3N-VB 详细参数说明
- **封装：** DFN8(3X3)
- **配置：** 单路 P 沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** -30V
- **门源极电压（VGS）：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** -2.5V
- **静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：**
- @VGS=4.5V: 18mΩ
- @VGS=10V: 11mΩ
- **漏极电流（ID）：** -45A
- **技术：** 沟槽工艺
### 086P3N-VB 应用示例
1. **电源模块：** 由于 086P3N-VB 具有高负向漏极-源极电压和漏极电流，适用于负向电源模块中的开关管。
2. **电动工具：** 可用于需要负向电源开关的电动工具中，以提供可靠的电源开关控制。
3. **汽车电子：** 在汽车电子中，该器件可用于汽车电子系统中的功率开关，如电动车控制器和电池管理系统。
4. **工业控制：** 可以用于工业控制系统中的高功率负向电源开关和驱动器，提供可靠的控制和性能。
5. **电源管理：** 由于其高负向漏极电流和低漏阻特性，适用于各种需要负向电源管理的应用中。
以上示例仅为举例，实际应用取决于具体设计要求和环境。
