**088N03L-VB**
**产品简介：**
VBsemi 088N03L-VB 是一款高性能的 DFN8(3X3) 封装 N 沟道 MOSFET。其特点包括低导通电阻（RDS(ON)=19mΩ@VGS=4.5V，13mΩ@VGS=10V）、低门源电压（VGS=20V）、高耐压能力（30V）、高耐电流能力（ID=30A）等。该器件采用了 Trench 技术，适用于各种应用场合。
**详细参数说明：**
- 封装：DFN8(3X3)
- 极性：单 N 沟道
- 最大耐压（VDS）：30V
- 最大门源电压（VGS）：±20V
- 阈值电压（Vth）：1.7V
- 导通电阻（RDS(ON)）：19mΩ@VGS=4.5V，13mΩ@VGS=10V
- 最大持续漏电流（ID）：30A
- 技术：Trench
**应用领域和模块示例：**
1. **手机和平板电脑**：适用于手机、平板电脑等便携式电子设备中的功率管理和电源控制。
2. **电源管理**：可用于笔记本电脑、数码相机等设备的电源管理系统。
3. **LED 照明**：适用于 LED 背光、手电筒等小型照明设备中的功率开关控制。
4. **车载电子**：用于汽车电子设备中的功率管理和控制，如车载充电器、车载娱乐系统等。
5. **医疗设备**：适用于便携式医疗设备、医疗成像设备等的功率控制和调节。
6. **工业控制**：可用于便携式测试仪器、工业控制器等设备中的功率管理和控制。
