--- 产品参数 ---
- 封装 TO252封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 088N04L-VB MOSFET产品简介
**088N04L-VB**是一款高性能单N沟道MOSFET,采用TO252封装,具备40V的漏源极电压(VDS)和±20V的栅源极电压(VGS)。该产品采用Trench技术,具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于需要高效率和高功率密度的应用场景。
### 088N04L-VB详细参数说明
- **封装类型**:TO252
- **配置**:单N沟道
- **漏源极电压(VDS)**:40V
- **栅源极电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:2.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:6mΩ @ VGS=4.5V, 5mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:85A
- **技术**:Trench
### 088N04L-VB应用领域和模块示例
**1. 电源管理**
088N04L-VB可用于电源管理模块中的功率开关,特别适用于高功率密度和高效率要求的场合。例如,可用于服务器电源和工业电源等高功率电子设备的电源管理系统。
**2. 电动工具**
在电动工具中,088N04L-VB可用作电机驱动器的开关,帮助控制电动工具的功率输出和运行效率。其高电流承载能力和低导通电阻特性使其适合用于高功率电动工具,如电动锤、电动钻等。
**3. 汽车电子**
088N04L-VB还可用于汽车电子系统中,例如汽车电池管理系统和电动汽车的电机驱动控制。其高功率和高效率特性有助于提高汽车电子系统的性能和能效。
**4. 工业自动化**
在工业自动化领域,088N04L-VB可用于各种功率开关和电机驱动器中,帮助控制工业设备的运行和效率。例如,可用于工业机器人、输送带和其他自动化设备的控制系统中。
这些应用示例展示了088N04L-VB在不同领域的多功能性和高效性,为各类高功率、高效率的电子系统提供了可靠的解决方案。
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