--- 产品参数 ---
- 封装 TO220封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 08CN10N-VB TO220 产品简介
08CN10N-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用TO220封装。该器件具有100V的漏源极电压(VDS),适用于中等电压应用。其采用Trench技术,具有较低的导通电阻(RDS(ON))和优秀的开关性能,适用于需要高效能和低功耗的应用场景。该器件在高电流下表现出色,适用于各种需要高电流和中等电压的电路设计。
### 08CN10N-VB TO220 详细参数说明
- **封装类型**:TO220
- **配置**:单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:100V
- **栅源极电压 (VGS)**:±20V
- **门限电压 (Vth)**:2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:20mΩ @ VGS=4.5V, 9mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:100A
- **技术**:Trench
### 08CN10N-VB TO220 应用领域和模块
1. **电源管理**:
- **应用实例**:在开关电源和稳压器中,08CN10N-VB可用于提供稳定的电源输出,适用于各种需要高电压和高电流的电路设计。
2. **电动车辆**:
- **应用实例**:在电动汽车或电动自行车的电机控制系统中,08CN10N-VB可用于电机驱动,提供高功率和高效率的动力输出。
3. **工业控制**:
- **应用实例**:在工业控制系统中,08CN10N-VB可用于开关电源、逆变器等,提供稳定的电源转换和控制。
4. **照明**:
- **应用实例**:在LED照明系统中,08CN10N-VB可用于电源驱动器,帮助实现高效的能源转换和稳定的照明效果。
以上应用场景展示了08CN10N-VB在中等电压和高电流要求下的广泛应用性,适用于多种工业和消费电子领域,确保其在各种电路设计中都能发挥卓越的性能。
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