--- 产品参数 ---
- 封装 DFN8(5X6)封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
090N03LS-VB 是一款 QFN8(5X6) 封装的单通道 N 沟道 MOSFET。它具有以下主要参数:
- VDS(漏极-源极电压):30V
- VGS(栅极-源极电压):±20V
- Vth(阈值电压):1.7V
- RDS(ON)(导通电阻):在 VGS=4.5V 时为9mΩ,在 VGS=10V 时为7mΩ
- ID(漏极电流):80A
- 技术:沟道技术
该型号的产品简介详细说明如下:
090N03LS-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,适用于要求高效能和高可靠性的应用场合。其 QFN8(5X6) 封装使其适用于空间受限的应用,同时具有良好的散热性能。通过沟道技术,该器件具有低导通电阻和高漏极电流的特性,可提供高效的功率转换和可靠的性能。
以下是该型号的详细参数说明:
1. **VDS(漏极-源极电压)**:30V,表示器件可以承受的最大漏极-源极电压。
2. **VGS(栅极-源极电压)**:±20V,表示栅极与源极之间的电压范围。
3. **Vth(阈值电压)**:1.7V,表示栅极-源极之间的电压,使器件开始导通。
4. **RDS(ON)(导通电阻)**:在 VGS=4.5V 时为9mΩ,在 VGS=10V 时为7mΩ,表示器件导通时的电阻大小,影响功率损耗。
5. **ID(漏极电流)**:80A,表示器件可以承受的最大漏极电流,直接影响器件的功率处理能力。
6. **技术**:沟道技术,采用了先进的沟道设计,使得器件具有更低的导通电阻和更高的效率。
该产品适用于以下领域和模块:
- **电源管理模块**:由于其高漏极电流和低导通电阻,适用于功率放大器、开关模块等电源管理模块。
- **电动车辆**:可用于电动车辆的电池管理系统、电机驱动系统等模块,提供高效能的功率转换。
- **工业控制**:适用于各种工业控制系统中的开关电路、电机驱动等模块,提供可靠的功率控制。
请注意,以上只是一些常见的应用领域,具体应用取决于实际设计需求和环境。
为你推荐
-
2SK2882-VB一种N-Channel沟道TO220F封装MOS管2024-07-20 15:51
产品型号:2SK2882-VB 封装:TO220F封装 沟道:N-Channel -
2SK2876-01MR-VB一种N-Channel沟道TO220F封装MOS管2024-07-20 15:50
产品型号:2SK2876-01MR-VB 封装:TO220F封装 沟道:N-Channel -
2SK2875-01-VB一种N-Channel沟道TO220封装MOS管2024-07-20 15:49
产品型号:2SK2875-01-VB 封装:TO220封装 沟道:N-Channel -
2SK2872-01MR-VB一种N-Channel沟道TO220F封装MOS管2024-07-20 15:48
产品型号:2SK2872-01MR-VB 封装:TO220F封装 沟道:N-Channel -
2SK2871-01-VB一种N-Channel沟道TO220封装MOS管2024-07-20 15:47
产品型号:2SK2871-01-VB 封装:TO220封装 沟道:N-Channel -
2SK2869L-VB一种N-Channel沟道TO251封装MOS管2024-07-20 15:46
产品型号:2SK2869L-VB 封装:TO251封装 沟道:N-Channel -
2SK2867-VB一种N-Channel沟道SOT23-3封装MOS管2024-07-20 15:44
产品型号:2SK2867-VB 封装:SOT23-3封装 沟道:N-Channel -
2SK2866-VB一种N-Channel沟道TO220封装MOS管2024-07-20 15:43
产品型号:2SK2866-VB 封装:TO220封装 沟道:N-Channel -
2SK2862_06-VB一种N-Channel沟道TO220F封装MOS管2024-07-20 15:42
产品型号:2SK2862_06-VB 封装:TO220F封装 沟道:N-Channel -
2SK2858-VB一种N-Channel沟道SC70-3封装MOS管2024-07-20 15:41
产品型号:2SK2858-VB 封装:SC70-3封装 沟道:N-Channel