--- 产品参数 ---
- 封装 TO252封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 090N03L-VB 产品简介:
090N03L-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET,封装为 TO252。该器件具有 30V 的漏极-源极电压(VDS),20V 的栅极-源极电压(VGS,最大值),和 1.7V 的阈值电压(Vth)。它采用沟槽工艺,具有低导通电阻和优异的性能。
### 090N03L-VB 详细参数说明:
- **封装:** TO252
- **通道类型:** 单 N 沟道
- **漏极-源极电压(VDS):** 30V
- **栅极-源极电压(VGS):** 20V(±)
- **阈值电压(Vth):** 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON)):** 3mΩ @ VGS=4.5V, 2mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID):** 100A
- **工艺:** 沟槽工艺
### 应用领域和模块举例:
1. **电源模块:** 由于其高漏极-源极电压和低导通电阻,适用于开关电源和逆变器模块中的开关控制。
2. **电池管理:** 可用于电池保护电路和电池充放电控制,以提高电池的使用寿命和安全性。
3. **电机驱动:** 适用于各种电机驱动器,如电动汽车(EV)、混合动力车辆(HEV)和工业电机驱动器,以提高效率和性能。
4. **DC-DC 变换器:** 可用于高功率密度的 DC-DC 变换器,用于电力转换和电压调节。
以上仅为几个示例,090N03L-VB 在其它领域和模块中也可能有广泛的应用。
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