--- 产品参数 ---
- 封装 TO220封装
- 沟道 N-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
091N06N-VB是一款TO220封装的单N沟道MOSFET。它具有60V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS,±V),和3V的阈值电压(Vth)。在VGS=10V时,其导通电阻(RDS(ON))为5mΩ,最大漏极电流(ID)为120A。这款MOSFET采用槽沟技术制造。
以下是关于091N06N-VB的详细参数说明:
- **封装类型(Package)**:TO220
- **器件类型(Configuration)**:单N沟道
- **漏极-源极电压(VDS)**:60V
- **栅极-源极电压(VGS,±V)**:20V
- **阈值电压(Vth)**:3V
- **导通电阻(RDS(ON))**:5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**:120A
- **技术**:槽沟
关于该产品在哪些领域和模块上的应用,以下是一些例子:
1. **电动汽车**:由于其高漏极电压和大电流特性,091N06N-VB适用于电动汽车中的逆变器和电机驱动器。
2. **工业电源**:对于需要高功率和高效率的工业电源,这款MOSFET可以用于开关电源和变换器。
3. **太阳能逆变器**:在太阳能发电系统中,这款MOSFET可用作逆变器的关键组件,用于将直流电转换为交流电。
4. **服务器电源**:对于需要高稳定性和可靠性的服务器电源,这款MOSFET可以用于开关电源模块。
这些只是一些例子,实际上,091N06N-VB可以适用于需要高电压、大电流和低导通电阻的各种应用场景。
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