091N06N-VB是一款TO263封装的单路N沟道MOSFET，具有60V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（VGS，±），以及3V的阈值电压（Vth）。其在VGS=10V时的导通电阻RDS(ON)为4mΩ，最大漏极电流ID为150A。采用槽沟技术（Trench）制造。
产品简介：
091N06N-VB是一款高性能的单路N沟道MOSFET，具有高漏极-源极电压和导通电阻能力，适用于要求高功率和高可靠性的应用场合。其TO263封装设计使其适用于大功率应用，并具有良好的散热性能，广泛应用于各种领域和模块中。
详细参数说明：
- 封装：TO263
- 结构：单路N沟道
- VDS（漏极-源极电压）：60V
- VGS（栅极-源极电压）：20V（±）
- 阈值电压（Vth）：3V
- RDS(ON)（导通电阻）：4mΩ @ VGS=10V
- 最大漏极电流（ID）：150A
- 工艺技术：槽沟技术（Trench）
应用示例：
1. 电源模块：用于高功率电源系统中的开关电源和逆变器。
2. 电机驱动：用于工业电机驱动和电动汽车（EV）的电机控制。
3. 汽车电子：用于汽车电子系统中的电源管理和电机控制。
4. 工业控制：用于工厂自动化和机械设备控制中的功率开关。
这些示例表明，091N06N-VB适用于需要高电压和高电流驱动的各种高功率应用领域和模块。
