--- 产品参数 ---
- 封装 TSSOP8
- 沟道 P+P-Channel
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 2502PZ-VB MOSFET 产品简介
#### 一、产品简介
VBsemi的2502PZ-VB是一款双P+P-沟道MOSFET,采用了Trench技术。该器件具有低导通电阻和高漏极电流能力,适用于需要高效率和高功率处理能力的电源管理应用。
#### 二、详细参数说明
- **封装 (Package)**: TSSOP8
- **配置 (Configuration)**: 双P+P-沟道 (Dual-P+P-Channel)
- **漏源电压 (VDS)**: -20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.2V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 18mΩ @ VGS=4.5V
- 13mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: -7.5A
- **技术 (Technology)**: Trench
#### 三、应用领域和模块举例
2502PZ-VB MOSFET适用于多种领域和模块,以下是一些具体的应用实例:
1. **电源转换器**:由于其低导通电阻和高功率处理能力,2502PZ-VB可用作电源转换器中的开关器件,实现高效率的能量转换。
2. **电池管理**:在电池管理系统中,2502PZ-VB可用于电池充放电控制,提供稳定的充放电过程和保护功能。
3. **电动车充电器**:在电动车充电器中,2502PZ-VB可用作电源开关,实现高效的充电过程控制,同时保证安全性和稳定性。
4. **手机充电器**:在小型电子设备中,2502PZ-VB可用于手机充电器中的功率开关,提高充电效率。
5. **LED驱动**:在LED照明应用中,2502PZ-VB可用作LED驱动器的开关器件,提供稳定的电流和高效的能量转换。
通过结合其技术特点和具体应用,2502PZ-VB MOSFET提供了一个高效且可靠的解决方案,满足了多种现代电子系统的需求。
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