--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8
- 沟道 Single-P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、产品简介
**55P05-VB SOP8**
55P05-VB 是一款单P沟道MOSFET,采用SOP8封装。它具有漏源极电压(VDS)为-60V的特性,适用于负电压电路设计。采用Trench技术制造,具备较低的导通电阻和适中的电流承载能力。
### 二、详细参数说明
- **封装类型**:SOP8
- **配置**:单P沟道
- **漏源极电压(VDS)**:-60V
- **栅源极电压(VGS)**:±20V
- **阈值电压(Vth)**:-1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:63mΩ @ VGS = 4.5V, 60mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流(ID)**:-8A
- **技术**:Trench
### 三、应用领域和模块举例
**55P05-VB SOP8** MOSFET适用于多种领域和模块,以下是几个具体的示例:
1. **电源逆变**:在电源逆变器中,将直流电转换为交流电,用于太阳能逆变器、UPS系统和工业电源供应。
2. **电动工具**:用作电动工具(如电钻、电锤等)中的电源开关,确保高效能和长寿命的电池使用。
3. **汽车电子**:在汽车电子系统中的12V电池管理、车载充电器和车辆动力控制单元(如电动窗控制器、车载灯具等)中的功率开关应用。
4. **LED驱动**:用于LED照明驱动电路中的电源管理和开关功能,确保LED灯具的稳定亮度和长寿命。
综上所述,**55P05-VB SOP8** MOSFET因其负电压能力、低导通电阻和高效的功率控制特性,适合于各种需要负电压控制和高电流承载的电路设计和应用。
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