### 产品简介
**型号：56NM60N-VB**
**封装：TO247**
**配置：单N沟道**
56NM60N-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术制造，适用于高压和高电流的电力电子应用，具有低导通电阻和优异的功率处理能力。
### 详细参数说明
- **封装类型**：TO247
- **配置**：单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**：650V
- **栅源极电压 (VGS)**：30V（±）
- **阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：75mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：47A
- **技术类型**：SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块
56NM60N-VB MOSFET适用于各种需要高电压和高电流处理能力的电力电子应用：
1. **电力供应**：
- **开关电源**：用于工业和电力系统中的高效能电源开关，确保电力转换的稳定和高效。
- **UPS系统**：作为不间断电源系统中的关键部件，提供稳定的备用电力和快速的切换能力。
2. **电动车辆**：
- **电动汽车**：作为电动汽车中的功率开关和电池管理器件，支持高效能量转换和电动车辆的高效运行。
3. **工业自动化**：
- **电机驱动**：用于工业机械和自动化设备中的电机驱动器，提供可靠的电力控制和动力输出。
4. **再生能源**：
- **太阳能逆变器**：在太阳能发电系统中，作为逆变器的功率开关，确保太阳能电能的有效转换和输送。
56NM60N-VB因其高性能和可靠性，在电力电子、电动车辆和工业自动化等领域广泛应用，能够满足复杂电路和高功率应用的需求，提供稳定和高效的电力管理解决方案。
