### 5N50KL-TF3-T-VB TO220F MOSFET 产品简介
5N50KL-TF3-T-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO220F封装。该器件适用于高压应用，具有650V的漏极-源极电压（VDS），栅极电压（VGS）为±30V，阈值电压（Vth）为3.5V。采用Plannar技术制造，具有较高的导通电阻（RDS(ON)），为1100mΩ @ VGS=10V，但能提供最大7A的漏极电流（ID），适合于需要承受高电压和中等电流的应用场合。
### 5N50KL-TF3-T-VB TO220F MOSFET 详细参数说明
| 参数 | 值 |
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| 封装 | TO220F |
| 配置 | 单N沟道 |
| 漏极-源极电压 (VDS) | 650V |
| 栅极电压 (VGS) | ±30V |
| 阈值电压 (Vth) | 3.5V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V | 1100mΩ |
| 漏极电流 (ID) | 7A |
| 技术 | Plannar |
### 5N50KL-TF3-T-VB TO220F MOSFET 的应用领域和模块举例
#### 应用领域
1. **电源转换器**：用于设计和制造高压直流至直流（DC-DC）转换器和交流至直流（AC-DC）电源转换器。
2. **电动车充电桩**：在电动车充电桩的电源管理和控制模块中，提供稳定的电流控制和高效率的功率转换。
3. **工业自动化**：用于高压工业设备和自动化系统中的电源开关和控制。
#### 模块举例
1. **电源模块**：集成在电源模块中，用于各种工业和消费电子设备的电源管理和开关控制。
2. **电动车充电模块**：用于电动车充电桩中，确保高效、安全和可靠的电池充电过程。
5N50KL-TF3-T-VB TO220F MOSFET 由于其高压能力和中等电流特性，是许多需要高压耐受和中等功率转换的应用的理想选择。
