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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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60N08L-TF1-T-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 60N08L-TF1-T-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO220F
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 1. 产品简介

60N08L-TF1-T-VB 是一款单N沟道场效应晶体管(MOSFET),采用Trench技术制造,具有高性能和低导通电阻特性。适用于需要高电压和高电流控制的电子应用场合,如电源管理、电机驱动和高功率开关电路。

### 2. 详细参数说明

- **型号**: 60N08L-TF1-T-VB
- **封装**: TO220F
- **沟道类型**: 单N沟道
- **漏极-源极电压(VDS)**: 100V
- **栅极-源极电压(VGS)**: ±20V
- **门阈电压(Vth)**: 2.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**: 9mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID)**: 90A
- **技术**: Trench

### 3. 应用示例

60N08L-TF1-T-VB 可以广泛应用于以下领域和模块:

- **电动车辆**: 在电动车辆的电池管理系统中,60N08L-TF1-T-VB 可以作为高功率充放电控制和电机驱动的关键开关器件,确保电动车辆的高效能和长途行驶的稳定性。

- **电源转换器**: 作为高压电源转换器中的关键部件,例如DC-DC转换器和逆变器,60N08L-TF1-T-VB 能够实现高效率的电能转换,适用于工业电源和通信设备中的电压调节和电流控制。

- **高功率开关电路**: 在需要处理大电流和高电压的高功率开关电路中,如工业控制设备和电动工具,60N08L-TF1-T-VB 可以保证系统的稳定性和可靠性,提高设备的操作效率和寿命。

这些示例展示了60N08L-TF1-T-VB 在高电压、高电流控制应用中的优越性能和广泛适用性,是工程师在设计需要高性能和可靠电子控制的应用时的理想选择。

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