### 1. 产品简介
**72580E-VB SOT669 MOSFET**
72580E-VB SOT669是一款单通道N沟道MOSFET，采用了Trench技术，设计用于高电流和中等电压应用。它具有低导通电阻和高漏极电流特性，适合要求高性能开关和功率控制的场合。
### 2. 参数说明
- **包装形式：** SOT669
- **通道配置：** 单N沟道
- **耐压（VDS）：** 80V
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±20V
- **门阈电压（Vth）：** 1.4V
- **导通电阻（RDS(ON)）：**
- 7.2mΩ @ VGS=4.5V
- 6mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）：** 90A
- **技术特性：** Trench
### 3. 应用示例
72580E-VB SOT669 MOSFET适用于以下领域和模块：
- **电源管理系统：** 在高功率电源管理系统中，如服务器电源、数据中心电源和不间断电源（UPS）系统，这款MOSFET能够提供高效率的电能转换和低损耗的功率管理，确保系统的稳定运行和高效能。
- **电动车辆和充电设备：** 作为电动汽车的电池管理和充电系统中的关键组件，能够支持高效能的充电和电能转换，适用于电动汽车充电桩和电动汽车电池管理系统，保障充电设备的可靠性和安全性。
- **工业自动化设备：** 在工业自动化控制系统中，如机器人控制器、可编程逻辑控制器（PLC）和工业电源模块，这款器件能够提供稳定的电源输出和高效的功率控制，适应工业环境的高要求。
这些应用示例展示了72580E-VB SOT669 MOSFET在高电流、中压降和高效能要求的电子和电气设备中的广泛应用，适合于工业、交通运输和电源管理等多个领域的需求。