--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8
- 沟道 Half-Bridge-N+N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AO4930-VB 产品简介
AO4930-VB 是一款半桥N+N沟道 MOSFET,采用SOP8封装。该型号器件结合了高性能的开关特性和低导通电阻,适合要求高效能和可靠性的半桥驱动和电源管理应用。
### AO4930-VB 详细参数说明
- **封装类型**:SOP8
- **器件配置**:半桥N+N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:30V
- **栅源电压 (VGS)**:20V(最大)
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 12mΩ(VGS=4.5V)
- 8mΩ(VGS=10V)
- **漏极电流 (ID)**:8A
- **技术类型**:Trench
### 应用领域和模块示例
AO4930-VB 在多种电源管理和驱动应用中具有广泛的适用性,特别适合以下领域和模块:
1. **电机驱动**:作为半桥驱动器件,AO4930-VB 可以用于直流电机驱动和步进电机驱动,在工业自动化和机器人系统中实现高效能的电机控制和精确的运动控制。
2. **电源转换器**:在DC-DC转换器和开关稳压器中,AO4930-VB 的低导通电阻和高漏极电流能力使其能够提供高效能的能源转换,减少能量损耗并提升系统效率。
3. **汽车电子**:在汽车电子系统中,AO4930-VB 的高电流处理能力和耐高温特性使其成为电动汽车和混合动力车辆中驱动电机和电池管理系统的理想选择。
4. **工业控制**:在工业控制系统中,AO4930-VB 可以用作电机控制和负载开关,通过其快速响应和低损耗特性,提升工业设备的运行效率和可靠性。
综上所述,AO4930-VB 是一款高性能、半桥N+N沟道 MOSFET,适用于各种需要高效能电源管理和可靠驱动控制的应用场景。
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