--- 产品参数 ---
- 封装 TO263
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AP40T03GS-VB 产品简介
AP40T03GS-VB 是一款单N沟道MOSFET,封装在TO263中,采用沟槽技术制造。它具有低导通电阻和高电流处理能力,适用于需要高效能量转换和功率管理的应用。
### AP40T03GS-VB 详细参数说明
- **封装类型**:TO263
- **配置**:单N沟道
- **击穿电压 (VDS)**:30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 18mΩ @ VGS=4.5V
- 12mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:50A
- **技术**:沟槽(Trench)
### AP40T03GS-VB 应用领域及模块
AP40T03GS-VB 在多种应用中具有广泛的适用性,特别适合以下领域和模块:
1. **电源管理**:
- 在低电压直流-直流转换器中,AP40T03GS-VB 可以作为功率开关,用于电源管理和能量转换,确保高效的电源输出。
2. **电动工具和家电**:
- 在电动工具和家用电器中,这款MOSFET 可以用于电机驱动和功率控制电路,提供高效的电能转换和可靠的电动工具操作。
3. **电动车辆**:
- 在电动车辆的电动驱动系统中,AP40T03GS-VB 可以作为电动机控制器的关键组成部分,支持高电流和低电压的电动车辆运行。
4. **消费电子**:
- 在笔记本电脑、平板电脑和其他消费电子设备中,这款MOSFET 可以用于电池管理和功率分配,确保设备的高效运行和长续航时间。
通过其优越的电气特性和稳定性,AP40T03GS-VB 成为各种需要高功率和低电压操作的应用中的理想选择,为工程师提供了高性能和可靠性的解决方案。
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