--- 产品参数 ---
- 封装 TO252
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AP40T10GH-VB 产品简介
AP40T10GH-VB 是一款单N沟道 MOSFET,采用 TO252 封装。它具有高电压承受能力和低导通电阻,适合于需要高电流和高功率的电路应用。
### AP40T10GH-VB 参数说明
- **封装类型**:TO252
- **配置**:单N-通道
- **漏源极电压 (VDS)**:100V
- **栅极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 35mΩ @ VGS=4.5V
- 30mΩ @ VGS=10V
- **连续漏极电流 (ID)**:40A
- **技术**:Trench
### AP40T10GH-VB 适用领域和模块
由于其高电压承受能力和低导通电阻特性,AP40T10GH-VB 在以下领域和模块中具有广泛的应用:
1. **电源管理**:在需要高功率输出和稳定电压转换的电源管理系统中,如开关电源、DC-DC转换器等。
2. **电动工具**:适用于需要高效能和高功率控制的电动工具,如电动钻、电动锯等,以确保设备的稳定性和长期可靠运行。
3. **电动车充电器**:在电动车充电系统中,AP40T10GH-VB 可用于电池管理和充电控制,支持高功率充电和快速充电需求。
4. **电动车电动机控制**:作为电动车电动机控制电路的一部分,用于提供高效的功率开关和驱动控制。
5. **工业自动化**:在工业控制设备和自动化系统中,AP40T10GH-VB 可用于高功率开关和负载控制,如PLC控制、机器人控制等领域。
综上所述,AP40T10GH-VB 是一款适用于高电流和高功率电路应用的单N沟道 MOSFET,其设计和特性使其在多个领域和应用中均能提供优异的性能和可靠性。
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