--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F
- 沟道 Single-P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
AP40P03GI-VB是一款单P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel MOSFET),采用TO220F封装。该型号MOSFET具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于高性能电源管理和负载开关应用。
### 详细参数说明
- **型号**:AP40P03GI-VB
- **封装**:TO220F
- **配置**:单P沟道
- **漏源极电压(VDS)**:-30V
- **栅源极电压(VGS)**:20V(±V)
- **阈值电压(Vth)**:-2.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 13mΩ @ VGS=4.5V
- 11mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流(ID)**:-55A
- **技术**:沟槽技术(Trench)
### 应用领域和模块示例
AP40P03GI-VB MOSFET适用于多种高性能电源管理和负载开关控制的应用,以下是几个具体的应用示例:
1. **电源开关**:
在各种电源开关电路中,如笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备的电源管理单元(PMU),能够提供高效的电流控制和电能转换。
2. **电池保护电路**:
用作移动电源和电池组保护电路的关键组件,防止过充电、过放电和短路,提升电池使用寿命和安全性。
3. **直流-直流转换器(DC-DC Converter)**:
在工业自动化和电力电子设备中,用于高效率的电压转换和能量管理,支持各种电压级别的调节和控制。
4. **汽车电子**:
在汽车电子系统中,如车载电源管理、电动座椅和车辆照明系统中,提供高效的电流开关和电能管理功能。
5. **工业控制设备**:
用于工业自动化和机器人系统中的电机驱动和电源开关,确保设备的高效运行和精确控制。
由于其高电流承载能力、低导通电阻和稳定的性能特性,AP40P03GI-VB适用于需要高性能电源管理和负载开关控制的广泛应用领域,包括消费电子、工业控制和汽车电子等。
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