--- 产品参数 ---
- 封装 SOT23-6
- 沟道 Single-P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介详:
AO6407-VB 是一款单 P-沟道场效应管,采用先进的沟道工艺制造。其封装为SOT23-6,具有优异的电气特性和高效的功率管理能力。适用于各种需要高性能和可靠性的电子设备和电路设计。
### 2. 详细的参数说明:
- **型号:** AO6407-VB
- **封装:** SOT23-6
- **配置:** 单 P-沟道
- **耐压(VDS):** -30V
- **栅源电压(VGS):** ±20V
- **门槽电压阈值(Vth):** -1.7V
- **导通电阻(RDS(ON)):**
- 54mΩ @ VGS = 4.5V
- 49mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流(ID):** -4.8A(负号表示漏极电流为负值,即沟道为 P-型)
- **技术:** 沟道工艺(Trench)
### 3. 示例说明适用领域和模块:
AO6407-VB 可以广泛应用于以下领域和模块:
- **电源管理:** 在负电压DC-DC转换器、反向电源和电源逆变器中,AO6407-VB 的特性使其能够有效地控制负电压电源的输出和稳定性。
- **电池保护:** 作为负电池保护电路的一部分,AO6407-VB 可以控制电池的充放电过程,确保电池安全运行并延长寿命。
- **电流控制:** 在各种需要负电流控制的应用中,如负载开关和电流限制器,AO6407-VB 提供了精确的电流控制和高效的能量管理。
- **信号开关:** 在模拟信号开关和开关电路中,AO6407-VB 可以提供快速响应和低电阻特性,适用于信号调节和电路开关控制。
AO6407-VB 凭借其优异的负电压特性和高性能设计,是设计需要负电压控制和高效能电子设备的理想选择。
为你推荐
-
AP40T10GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:30
产品型号:AP40T10GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP40T10GH-HF-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:28
产品型号:AP40T10GH-HF-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP40T03H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:27
产品型号:AP40T03H-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP40T03GS-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:26
产品型号:AP40T03GS-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AP40T03GS-HF-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:25
产品型号:AP40T03GS-HF-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AP40T03GP-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:23
产品型号:AP40T03GP-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
AP40T03GP-HF-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:22
产品型号:AP40T03GP-HF-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
AP40P03GP-VB一款Single-P沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:20
产品型号:AP40P03GP-VB 封装:TO220 沟道:Single-P -
AP40P03GJ-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:18
产品型号:AP40P03GJ-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP40P03GI-VB一款Single-P沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:17
产品型号:AP40P03GI-VB 封装:TO220F 沟道:Single-P