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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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AOTF266L-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: AOTF266L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO220F
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 1. 产品简介

AOTF266L-VB 是一款单N沟道场效应管,采用Trench技术制造,封装形式为TO220F。具备低导通电阻、高电流和稳定的性能特性,适用于需要高效能和高可靠性的电源管理和驱动应用。

### 2. 详细参数说明

- **包装**: TO220F
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 
 - 5mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2.6mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 210A

### 3. 应用示例

AOTF266L-VB MOSFET 适用于以下领域和模块:

- **电动车辆**: 在电动车辆的电源管理系统中,AOTF266L-VB 可以作为电动车辆的电池管理和电机驱动的关键组件,支持高功率输出和快速响应。
- **工业电源**: 用于工业电源设备的高效能电源开关和电流控制,如工业自动化设备中的高压开关电源单元。
- **服务器和数据中心**: 在服务器和数据中心设备中,AOTF266L-VB 可以提供稳定的电源开关和电流控制,优化能源利用率和系统性能。
- **电源转换器**: 适用于各种类型的电源转换器,支持高效能的电能转换和电流管理。

这些示例突显了 AOTF266L-VB 的高功率处理能力、低导通电阻和稳定的性能特性,使其成为各种电子和电力系统中的理想选择,特别是需要处理高功率和高效能要求的应用场合。

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