### AP02N90P-VB 产品简介
AP02N90P-VB是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，封装在TO220中。该器件设计用于高压应用，具有较高的额定漏源电压和适中的导通电阻，适合要求高电压和中等电流的应用场合。
### 详细参数说明
- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 900V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **栅阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 1500mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 5A
- **技术**: SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块示例
1. **电源转换器**：
- **应用场景**: 适用于需要高电压但中等电流的DC-DC转换器和AC-DC转换器。
- **示例**: 工业电源系统中的高压转换器模块。
2. **电动工具**：
- **应用场景**: 在需要高压电源和适中电流驱动的电动工具中，如高压电动钻等。
- **示例**: 电动工具的高压电源控制电路。
3. **太阳能逆变器**：
- **应用场景**: 用于太阳能电池板系统的逆变器模块，要求高电压和中等电流输出。
- **示例**: 太阳能逆变器的高压转换电路。
4. **医疗设备**：
- **应用场景**: 在医疗设备中，需要高电压稳定性和中等电流驱动能力的控制电路。
- **示例**: 医疗成像设备中的高压电源模块。
AP02N90P-VB适用于需要高电压和中等电流驱动的多种应用场合，包括电源转换器、电动工具、太阳能逆变器和医疗设备等。其SJ_Multi-EPI技术确保了在高压环境下的稳定性和可靠性。
