--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AP03N70F-A-VB 产品简介
AP03N70F-A-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TO220F 封装,由 VBsemi 公司生产。它适用于需要高漏源电压和中等电流的应用场合,具有良好的导通特性和稳定性,是工业和消费电子设备中的理想选择。
### AP03N70F-A-VB 参数说明
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单通道 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**:650V
- **栅源电压 (VGS)**:30V(±)
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:2560mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:4A
- **技术**:平面技术(Plannar)
### 适用领域和模块
#### 电源逆变器
AP03N70F-A-VB 可以用作电源逆变器中的开关器件,用于将直流电转换为交流电。其高漏源电压和低导通电阻,使其能够在高效率和高频率的转换中表现出色。
#### 太阳能逆变器
在太阳能逆变器中,AP03N70F-A-VB 可作为功率开关器件,用于控制和调节太阳能电池板输出的电能。其稳定的性能和高耐压能力,确保了系统的可靠运行。
#### 工业控制系统
在工业自动化和控制系统中,AP03N70F-A-VB 可用作电机驱动器和开关电源。其高电压容忍能力和可靠的开关特性,适应了复杂的工业环境和高功率要求。
#### 汽车电子
在汽车电子系统中,AP03N70F-A-VB 可以用作电动车充电器、马达控制器和照明系统中的功率开关器件。其高效的电能转换和稳定的性能,提升了汽车电子设备的效率和安全性。
#### 高频电源模块
由于其平面技术和低导通电阻,AP03N70F-A-VB 适用于各种高频电源模块,如通信设备中的功率放大器和发射机。它能够提供快速、稳定的开关操作,满足高频率信号处理的需求。
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