--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介
AP0403GM-VB是一款单通道N沟道MOSFET,采用Trench技术,适用于需要高效能和低导通电阻的电子设备。其SOP8封装使其在空间受限的应用中能够提供高效的功率管理和电流控制功能。
### 2. 详细参数说明
- **型号**: AP0403GM-VB
- **封装**: SOP8
- **结构**: 单N沟道
- **漏源电压(VDS)**: 30V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS=4.5V
- 4mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**: 18A
- **技术**: Trench
### 3. 应用领域和模块示例
AP0403GM-VB适用于以下几个领域和模块:
- **电源管理**: 在笔记本电脑和移动电子设备的电源管理模块中,AP0403GM-VB能够提供高效的功率开关和低压降,帮助延长电池寿命并提升设备的能效。
- **DC-DC转换器**: 用作高频率DC-DC转换器的关键功率开关元件,例如在电信基站和工业设备中的功率转换电路中,确保高效率和稳定的电力转换。
- **电动工具**: 在电动工具的电机驱动电路中,AP0403GM-VB能够提供高电流承载能力和低导通电阻,支持设备的高功率输出和长时间运行。
- **LED驱动器**: 作为LED照明系统中LED驱动器电路的功率开关元件,AP0403GM-VB能够精确控制LED的亮度和稳定性,适用于室内和户外照明应用。
- **汽车电子**: 在汽车电子系统中,如电动汽车的电动驱动系统和充电桩的功率转换器中,AP0403GM-VB能够提供可靠的功率管理和电流控制,确保系统的高效能和安全性能。
综上所述,AP0403GM-VB因其低导通电阻、高电流承载能力和高效能特性,适用于多种要求高功率管理和稳定性能的电子设备和系统中,能够显著提升系统的能效和性能稳定性。
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