--- 产品参数 ---
- 封装 TO220
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、AP05N50P-VB 产品简介
AP05N50P-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET,采用先进的平面技术设计,具备高电压承受能力和低导通电阻的特点。该器件封装在TO220外壳中,适合高效率、高可靠性的电力转换和管理应用。
### 二、AP05N50P-VB 详细参数说明
- **型号**: AP05N50P-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 600V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 1070mΩ @ VGS=4.5V
- 780mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 8A
- **技术**: 平面技术
### 三、AP05N50P-VB 适用领域和模块说明
AP05N50P-VB 在电力转换和管理应用中具有广泛的适用性,以下是一些具体的应用领域和模块举例:
1. **电源供应模块**:
AP05N50P-VB 适用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中。其高电压承受能力和低导通电阻确保了高效的电力传输和转换,使其成为电源供应模块中的理想选择。
2. **逆变器**:
在太阳能光伏逆变器和不间断电源(UPS)系统中,AP05N50P-VB 能够有效地管理电能的转换和传输,提供稳定和可靠的电力输出。
3. **电动汽车充电桩**:
AP05N50P-VB 在电动汽车充电基础设施中发挥重要作用,尤其在高功率和高效率的充电模块中,其优越的电气性能确保了充电过程的高效和安全。
4. **工业自动化**:
在工业自动化设备中,如电机驱动器和控制系统,AP05N50P-VB 提供了高效的电流控制和保护,确保设备的可靠运行和长寿命。
通过上述应用实例,AP05N50P-VB 展现了其在各种高要求、高效率的电力管理领域中的广泛适用性和重要性。
为你推荐
-
AP40T10GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:30
产品型号:AP40T10GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP40T10GH-HF-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:28
产品型号:AP40T10GH-HF-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP40T03H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:27
产品型号:AP40T03H-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP40T03GS-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:26
产品型号:AP40T03GS-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AP40T03GS-HF-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:25
产品型号:AP40T03GS-HF-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AP40T03GP-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:23
产品型号:AP40T03GP-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
AP40T03GP-HF-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:22
产品型号:AP40T03GP-HF-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
AP40P03GP-VB一款Single-P沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:20
产品型号:AP40P03GP-VB 封装:TO220 沟道:Single-P -
AP40P03GJ-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:18
产品型号:AP40P03GJ-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP40P03GI-VB一款Single-P沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:17
产品型号:AP40P03GI-VB 封装:TO220F 沟道:Single-P