--- 产品参数 ---
- 封装 SC70-3
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
**型号:AP1332GEU-HF-VB**
AP1332GEU-HF-VB 是一款单N沟道功率MOSFET,采用先进的沟槽技术,封装形式为SC70-3。该器件具有低导通电阻和高电流处理能力,适合于需要紧凑尺寸和高效能量转换的电子设备应用。
### 详细参数说明
- **封装形式**:SC70-3
- **配置**:单N沟道
- **漏源极电压(VDS)**:20V
- **栅源极电压(VGS)**:±12V
- **阈值电压(Vth)**:0.5~1.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 48mΩ @ VGS=2.5V
- 40mΩ @ VGS=4.5V
- 36mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:4A
- **技术类型**:沟槽技术(Trench)
### 应用领域和模块示例
AP1332GEU-HF-VB 可以广泛应用于以下领域和模块中:
1. **移动设备**:适用于智能手机、平板电脑和便携式消费电子产品中的电源管理和电池管理系统,通过高效的功率转换和低导通电阻,延长电池使用时间。
2. **电源管理**:在便携式电子设备和嵌入式系统中,作为开关电源和DC-DC转换器的关键组件,以提供稳定的电源输出和高效的能量转换。
3. **LED驱动**:用于LED照明系统中的电源开关和驱动电路,支持高频率操作和高效的电能管理,实现照明系统的节能和亮度调节。
4. **医疗设备**:在便携式医疗设备和健康监测设备中,作为电源管理和控制电路的一部分,确保设备稳定可靠的运行和长时间的使用。
5. **工业控制**:在工业自动化控制系统中,用于驱动和控制各种电动机、阀门和传感器,通过高效的电源开关功能,提高系统的响应速度和能效。
通过这些应用示例,可以看出AP1332GEU-HF-VB 在小型、高效能量转换和低功耗要求的电子设备中,提供了可靠和高性能的解决方案。
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