--- 产品参数 ---
- 封装 TO251
- 沟道 Single-P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 产品简介
AP3403GJ-VB是一款高性能的单P沟道MOSFET,采用TO251封装。其设计特点是具有高电流处理能力和低导通电阻,适用于各种需要高效能量管理和开关控制的应用。该MOSFET在-30V的漏源电压和±20V的栅源电压下运行,适用于多种电源管理系统和负载控制场合。
### 详细参数说明
- **封装形式**:TO251
- **配置**:单P沟道
- **漏源电压 (VDS)**:-30V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 72mΩ @ VGS = 4.5V
- 56mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:-20A
- **技术**:Trench
### 应用领域和模块举例
1. **电源管理模块**:
AP3403GJ-VB适用于电源管理模块中的高效能量转换和分配。例如,在降压转换器(Buck Converter)中,该MOSFET可以用作开关元件,确保电源输出稳定并提高能效,适用于工业设备和通信基站的电源管理系统。
2. **电动工具和电池管理系统**:
由于其高电流处理能力和低导通电阻,AP3403GJ-VB非常适合用于电动工具的功率控制电路和电池管理系统。它可以在高电流负载下提供可靠的开关控制,并优化电池的充放电过程,延长电池寿命和提高设备性能。
3. **消费电子和家用电器**:
在消费电子和家用电器中,该型号的MOSFET可以用于功率管理和开关控制电路。其低导通电阻特性能够有效降低功率损耗,提高设备的能效和性能。例如,在智能家居设备、电动玩具和小型家用电器中,AP3403GJ-VB能够提供稳定的电流控制和功率管理。
综上所述,AP3403GJ-VB在多种需要高效能量管理和高电流处理能力的应用场合中发挥着重要作用,为电路设计提供了稳定性、可靠性和高效率的解决方案。
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