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深圳市点面线科技有限公司

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CLA80E1200HF TO-247-3 80A 1200V 单向可控硅晶闸管

型号: CLA80E1200HF
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--- 产品参数 ---

  • 封装 TO-247-3
  • 电压 1200V
  • 短裤 80A

--- 产品详情 ---

符号定义条件最小值典型值最大值单位

\(V_{DRM(max)}\)

最大非重复断态正向阻断电压

\(T_{vj}=25^{\circ}C\)

1300--V(伏)

\(V_{RRM(max)}\)

最大反向重复峰值电压

\(T_{vj}=25^{\circ}C\)

1200--V(伏)

\(I_{RRM}\)

反向电流、漏电流

\(V_{RM}=1200\ V\)\(T_{vj}=25^{\circ}C\)

--50μA(微安)
  

\(V_{RM}=1200\ V\)\(T_{vj}=125^{\circ}C\)

--1.5mA(毫安)

\(V_T\)

正向压降

\(I_T = 80\ A\)\(T_{vj}=25^{\circ}C\)

-1.401.77V(伏)
  

\(I_T = 160\ A\)\(T_{vj}=25^{\circ}C\)

-1.38-V(伏)
  

\(I_T = 80\ A\)\(T_{vj}=125^{\circ}C\)

-1.37-V(伏)
  

\(I_T = 160\ A\)\(T_{vj}=125^{\circ}C\)

-1.87-V(伏)

\(I_{T(AV)}\)

平均正向电流

\(T_{C}=115^{\circ}C\)

-80-A(安)

\(I_{T(RMS)}\)

通态方均根电流180Hz 正弦波,\(T_{vj}=150^{\circ}C\)-126-A(安)

\(V_{T0}\)

门槛电压仅用于功率损耗计算-88-mV(毫伏)

\(r_T\)

通态斜率电阻

\(T_{vj}=150^{\circ}C\)

-6.3-mΩ(毫欧)

\(R_{thJC}\)

结到壳的热阻--0.2-K/W(开尔文 / 瓦)

\(R_{thCH}\)

壳到散热器的热阻-----

\(P_{tot}\)

总功耗

\(t = 10\ ms\)(50Hz,正弦波),\(T_{C}=25^{\circ}C\)

-620-W(瓦)

\(I_{TSM}\)

最大正向浪涌电流

\(t = 8.3\ ms\)(60Hz,正弦波),\(T_{vj}=45^{\circ}C\)

-900-A(安)
  

\(t = 10\ ms\)(50Hz,正弦波),\(T_{vj}=45^{\circ}C\)

-970-A(安)
  

\(t = 10\ ms\)(50Hz,正弦波),\(T_{vj}=150^{\circ}C\)

-765-A(安)
  

\(t = 8.3\ ms\)(60Hz,正弦波),\(T_{vj}=150^{\circ}C\)

-825-A(安)

Pt

晶闸管额定值

\(t = 10\ ms\)(50Hz,正弦波),\(T_{vj}=45^{\circ}C\)

-4.05-kA²s(千安平方秒)
  

\(t = 8.3\ ms\)(60Hz,正弦波),\(T_{vj}=45^{\circ}C\)

-3.92-kA²s(千安平方秒)
  

\(t = 10\ ms\)(50Hz,正弦波),\(T_{vj}=150^{\circ}C\)

-2.93-kA²s(千安平方秒)
  

\(t = 8.3\ ms\)(60Hz,正弦波),\(T_{vj}=150^{\circ}C\)

-2.83-kA²s(千安平方秒)

\(C_j\)

结电容

\(V_R = 400\ V\)\(f = 1\ MHz\)\(T_{vj}=25^{\circ}C\)

-36-pF(皮法)

\(P_{GM}\)

最大门极功耗

\(t_{p}=300\ \mu s\)\(T_{vj}=150^{\circ}C\)

-10-W(瓦)

\(P_{G(AV)}\)

平均门极功耗--5-W(瓦)

\((di/dt)_c\)

临界电流上升率

\(T_{vj}=150^{\circ}C\)\(f = 50\ Hz\),重复,\(I_T = 240\ A\)

--150A/μs(安 / 微秒)
  

\(t_p = 200\ \mu s\)\(di_c/dt = 0.3\ A/\mu s\)\(I_{T(AV)} = 0.3\ A\)\(V = \frac{1}{2}V_{DRM}\),非重复,\(I_T = 80\ A\)

--500A/μs(安 / 微秒)

\((dv/dt)_c\)

临界电压上升率

\(V_R = \frac{2}{3}V_{RRM}\)\(T_{vj}=150^{\circ}C\)\(R_G = R_{G(OP)}\),方法 1(线性电压上升)

--1000V/μs(伏 / 微秒)

\(V_{GT}\)

门极触发电压

\(V_A = 6\ V\)\(T_{vj}=25^{\circ}C\)

-1.5-V(伏)
  

\(V_A = 6\ V\)\(T_{vj}=-40^{\circ}C\)

-1.6-V(伏)
  

\(V_A = 6\ V\)\(T_{vj}=150^{\circ}C\)

-38-mV(毫伏)

\(I_{GT}\)

门极触发电流

\(V_A = 6\ V\)\(T_{vj}=25^{\circ}C\)

--80mA(毫安)
  

\(V_A = 6\ V\)\(T_{vj}=-40^{\circ}C\)

--80mA(毫安)
  

\(V_A = 6\ V\)\(T_{vj}=150^{\circ}C\)

--0.2mA(毫安)

\(V_{GD}\)

门极不触发电压

\(V_A = \frac{1}{2}V_{DRM}\)\(T_{vj}=25^{\circ}C\)

--5V(伏)

\(I_{GD}\)

门极不触发电流-----

\(I_L\)

掣住电流

\(I_G = 10\ \mu A\)\(di/dt = 0.3\ A/\mu s\)\(T_{vj}=25^{\circ}C\)

--150mA(毫安)

\(I_H\)

维持电流

\(V_A = 6\ V\)\(R_{GK}=\infty\)\(T_{vj}=25^{\circ}C\)

--100mA(毫安)

\(t_{gd}\)

门极控制延迟时间

\(V_G = \frac{1}{2}V_{GM}\)\(T_{vj}=25^{\circ}C\)

--2μs(微秒)
  

\(I_G = 0.3\ A\)\(di_c/dt = 0.3\ A/\mu s\)

----

\(t_q\)

关断时间

\(V_{D}=100\ V\)\(I_T = 80\ A\)\(dV/dt = 20\ V/\mu s\)\(T_{vj}=125^{\circ}C\)

--150μs(微秒)
  

\(di/dt = 20\ A/\mu s\)\(dV/dt = 20\ V/\mu s\)\(T_{vj}=200\ \mu s\)

----

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