型号 FDD5614P丝印 VBE2610N品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 38A 导通电阻 61mΩ @10V, 72mΩ @4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.3Vth 封装 TO252应用简介 FDD5614P是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制或负载开关的应用。其最大耐压为60V，最大电流为38A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括 1. 电源管理模块 可用于负极电源开关和正负电源控制的电路。2. 电机驱动模块 适用于驱动小型直流电机或步进电机的控制器。3. 转换器模块 可用于直流直流转换器和逆变器的输出调节。总之，FDD5614P适用于负极电压控制和负载开关等应用领域的模块设计，包括电源管理、电机驱动和转换器模块等。
--- 产品参数 ---
- 类型 P沟道
- 最大耐压 60V
- 最大电流 38A
- 导通电阻 61mΩ @10V, 72mΩ @4.5V
- 门源电压 20Vgs (±V)
- 门阈电压 1.3Vth
- 封装 TO252
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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