CED12N10详细参数说明 极性 N沟道 额定电压 100V 额定电流 15A 导通电阻 115mΩ @ 10V, 120mΩ @ 4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 阈值电压 1.41Vth (V) 封装类型 TO251应用简介 CED12N10是一款N沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。它具有较高的额定电压和额定电流特性，能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制20Vgs (±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗，并提高系统的效率。CED12N10采用TO251封装，适用于各种电路板和模块中使用。该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等领域。具有较高的额定电压和额定电流，CED12N10特别适用于需要高功率和高电流传输的领域，如电源开关和功率放大器。总之，CED12N10是一款N沟道MOSFET，适用于电源管理和功率放大器等应用模块中，特别适用于需要高功率和高电流传输的领域，如电源开关和功率放大器。
--- 产品参数 ---
- 极性 N沟道
- 额定电压 100V
- 额定电流 15A
- 导通电阻 115mΩ @ 10V, 120mΩ @ 4.5V
- 门源电压 20Vgs (±V)
- 阈值电压 1.41Vth (V)
- 封装类型 TO251
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
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