--- 产品参数 ---
- 频道类型 N沟道
- 额定电压 60V
- 额定电流 45A
- RDS(ON ) 24mΩ @ 10V,28mΩ @ 4.5V
- 门源电压范围 ±20V
- 门源阈值电压 1.8V
- 封装类型 TO252
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
型号 AP9971GH丝印 VBE1638品牌 VBsemi参数 频道类型 N沟道 额定电压 60V 额定电流 45A RDS(ON) 24mΩ @ 10V,28mΩ @ 4.5V 门源电压范围 ±20V 门源阈值电压 1.8V 封装类型 TO252应用简介 AP9971GH(丝印 VBE1638)是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。以下是详细的参数说明和应用简介 详细参数说明 AP9971GH是一款N沟道功率MOSFET,具有高电压和电流承载能力。主要参数包括额定电压为60V,额定电流为45A,RDS(ON)为24mΩ @ 10V,28mΩ @ 4.5V,门源电压范围为±20V,门源阈值电压为1.8V,封装类型为TO252。应用领域 AP9971GH(VBE1638)适用于多种领域和应用场景,主要用于需要高电压和高电流承载能力的电路。以下是一些典型的应用领域 1. 电源管理模块 AP9971GH可用于电源管理模块中,提供高效的电能转换和稳定的电流输出,改善系统的功耗和效率。2. 电机驱动 它可应用于电机驱动电路中,提供高功率和高效能的电力输出,适用于工业自动化和机械设备中的电机驱动。3. 汽车电子系统 AP9971GH适用于汽车电子系统中的电源管理、电机驱动和照明控制等方面,满足汽车电子系统对高电压和高功率的要求。综上所述,AP9971GH(VBE1638)是一款N沟道功率MOSFET,适用于电源管理模块、电机驱动和汽车电子系统等领域模块。它具有高电压和电流承载能力,适用于需要高功率和高效能的电路。
为你推荐
-
AP40T10GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:30
产品型号:AP40T10GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP40T10GH-HF-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:28
产品型号:AP40T10GH-HF-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP40T03H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:27
产品型号:AP40T03H-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP40T03GS-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:26
产品型号:AP40T03GS-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AP40T03GS-HF-VB一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:25
产品型号:AP40T03GS-HF-VB 封装:TO263 沟道:Single-N -
AP40T03GP-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:23
产品型号:AP40T03GP-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
AP40T03GP-HF-VB一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:22
产品型号:AP40T03GP-HF-VB 封装:TO220 沟道:Single-N -
AP40P03GP-VB一款Single-P沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:20
产品型号:AP40P03GP-VB 封装:TO220 沟道:Single-P -
AP40P03GJ-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:18
产品型号:AP40P03GJ-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP40P03GI-VB一款Single-P沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-18 16:17
产品型号:AP40P03GI-VB 封装:TO220F 沟道:Single-P