型号 AO3460-VB
丝印 VB162K
品牌 VBsemi
参数
类型 N沟道
额定电压（Vds） 60V
最大持续电流（Id） 0.3A
导通电阻（RDS(ON)） 2800mΩ @ 10V
门源电压范围（Vgs） 20V（正负）
阈值电压（Vth） 1.6V
封装 SOT23
应用简介
AO3460-VB是一款N沟道场效应晶体管（MOSFET），适用于需要低功耗和低电流的电子应用。它通常用于小功率电路和电子开关应用。
详细参数说明
1. 类型 这是一款N沟道MOSFET，意味着它在输入正向电压时导通。这种类型的MOSFET通常用于需要正向电压操作的电路中。
2. 额定电压（Vds） 它可以承受的最大漏极-源极电压为60V。这表示它可以在相对高电压条件下工作。
3. 最大持续电流（Id） 这款MOSFET的最大电流承受能力为0.3A。这使其适用于低功耗和小电流的应用。
4. 导通电阻（RDS(ON)） RDS(ON)是导通状态下的电阻，它影响MOSFET的功耗和效率。在10V的门源电压下，它的RDS(ON)为2800mΩ，表示在导通状态下的功耗相对较高，适用于小功率应用。
5. 门源电压范围（Vgs） MOSFET的门源电压范围为20V，这表示需要至多20V的电压来控制它的导通状态。
6. 阈值电压（Vth） 这款MOSFET的阈值电压为1.6V。这是启动MOSFET导通的门源电压。
7. 封装 这款MOSFET采用SOT23封装，这是一种小型封装类型，适用于紧凑的电路设计。
应用领域
AO3460-VB这款MOSFET适用于多种需要低功耗和低电流的电子模块和设备，包括但不限于以下领域模块
1. 小功率电子开关 常用于小型电子设备的开关电路，例如手机、平板电脑和便携式电子设备中的电源管理。
2. 信号开关 在需要低功耗的信号开关电路中使用，例如传感器信号处理和通信设备。
3. 电池管理 可用于低功耗电池管理电路，以延长电池寿命和提高能效。
4. 模拟电路保护 在模拟电路中用于过压和过流保护。
5. 小型电源转换器 在需要小功率电源转换的应用中使用，例如低功耗DC-DC转换器。
总之，AO3460-VB适用于需要低功耗和低电流操作的小型电子模块和设备，特别是在需要低功耗和小功率的应用中。
